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SI2301DS-T1

更新時間:2025-05-19 21:50:22

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SI2301DS-T1 概述

SI2301DS-T1是一款由Vishay公司生產的P溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的SOT-23封裝。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，適用于電池供電設備中的負載開關、電源管理以及其他需要高效電能控制的應用場景。其最大漏源電壓（VDS）為-20V，在柵源電壓（VGS）為-4.5V時，連續(xù)漏電流（ID）可達-2.8A。由于其具備優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性和較低的柵極電荷，有助于降低驅動電路的設計復雜度并提高整體系統(tǒng)效率。在無線通信模塊、便攜式電子設備中常被用作電源開關或保護器件。使用時需注意避免靜電損壞，并確保散熱良好以維持長期可靠性。

SI2301DS-T1 規(guī)格參數(shù)

制造商
Vishay
晶體管極性
P-Channel
汲極/源極擊穿電壓
20 V
閘/源擊穿電壓
+/- 8 V
漏極連續(xù)電流
2.3 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
130 mOhms at 4.5 V
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-236-3
封裝
Reel
下降時間
36 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
1250 mW
上升時間
36 ns
工廠包裝數(shù)量
3000
典型關閉延遲時間
42 ns

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