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SI1906DL-T1

更新時間:2025-06-06 01:03:45

供應(yīng)商
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深圳市誠研翔科技有限公司
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SI1906DL-T1 概述

SI1906DL-T1是Vishay公司生產(chǎn)的一款P溝道功率MOSFET，采用DPAK封裝。該器件設(shè)計用于高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，在小尺寸封裝內(nèi)提供低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度特性。其典型應(yīng)用場景包括電源管理、負(fù)載切換以及電池充電電路等便攜式電子設(shè)備中。在電源管理電路里，它可作為同步整流管或低壓側(cè)開關(guān)使用，有助于提升整體系統(tǒng)效率。使用時需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保完全開啟MOSFET，并且在PCB布局時要充分考慮散熱設(shè)計以保證穩(wěn)定工作。

SI1906DL-T1 規(guī)格參數(shù)

制造商
Vishay
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
20 V
閘/源擊穿電壓
+/- 8 V
漏極連續(xù)電流
250 mA
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
2.5 Ohms
配置
Dual
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-363
封裝
Reel
下降時間
25 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
0.2 W
上升時間
25 ns
工廠包裝數(shù)量
3000
典型關(guān)閉延遲時間
19 ns

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SI1902CDL
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