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SI1480DH-T1-GE3

更新時間:2025-05-24 04:51:48

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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全新原裝、公司現(xiàn)貨熱賣

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中杰盛科技有限公司
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惠州市利灣智能科技有限責任公
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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深圳市藍軍科技有限公司
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上海熠富電子科技有限公司
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SI1480DH-T1-GE3 概述

SI1480DH-T1-GE3是Vishay公司生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。它采用小型的SOT-23封裝，適合表面貼裝應用。該MOSFET具有低導通電阻和快速開關特性，適用于直流 - 直流轉換器、負載開關以及電池供電設備中的電源管理等應用場景。由于其較小的封裝尺寸和良好的電氣性能，能夠在緊湊的空間內(nèi)提供高效的功率控制，在便攜式電子產(chǎn)品如智能手機、平板電腦等設備中得到廣泛應用。使用時需注意不超過其最大電壓和電流額定值以確?？煽抗ぷ?。

SI1480DH-T1-GE3 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
TrenchFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
2.6A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
200 毫歐 @ 1.9A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
130 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta），2.8W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SC-70-6
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363

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廣東微爾科技有限公司

SI1480DH-T1-GE3相關型號

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SI1403BDL-T1-E3
SI1403DL
SI1403DL-T1
SP3232EEN

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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