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SI1013X-T1-GE3

更新時間:2025-07-05 10:52:00

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詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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優(yōu)勢 免費樣品
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原裝現(xiàn)貨，原型號可開票，可免費送樣

深圳市譽輝天成電子有限公司
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優(yōu)勢渠道現(xiàn)貨,提供一站式配單服務

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深圳市芯福林電子科技有限公司
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一級代理商可提供技術(shù)方案支持

深圳市河鋒鑫科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

深圳市阿爾派電子科技有限公司
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只做原裝有貨

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3000個/圓盤一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期

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瀚佳科技（深圳）有限公司
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SI1013X-T1-GE3 概述

SI1013X-T1-GE3是Vishay公司生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓(VDS)為30V，適合于低壓電源管理電路中。在電池供電設備、負載開關(guān)及DC-DC轉(zhuǎn)換器等場景下表現(xiàn)出色。由于其緊湊的封裝形式和優(yōu)異的電氣性能，特別適合對空間有嚴格要求的手持式電子產(chǎn)品。使用時需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保完全開啟MOSFET，避免因驅(qū)動不足導致的高導通損耗。

SI1013X-T1-GE3 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
350mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.2 歐姆 @ 350mA，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
450mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
1.5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
250mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-89，SOT-490
供應商設備封裝
SC-89-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SI1013X-T1-GE3TR

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