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SGW20N60

更新時間:2025-05-24 17:14:10

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SGW20N60 概述

SGW20N60是來自Secos（士蘭微電子）的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的平面柵工藝制造，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏極電流可達20A，耐壓值為600V，適用于高電壓、大電流的應用環(huán)境。此款MOSFET廣泛應用于電源管理領域，如AC-DC轉換器、DC-DC轉換器以及電機驅(qū)動等場合。在具體應用中，建議注意柵極驅(qū)動電路的設計，確保柵極電壓穩(wěn)定在10到20V之間以實現(xiàn)最佳性能。同時，考慮到其較高的開關速度，在PCB布局時應盡量減小寄生電感，避免產(chǎn)生過沖電壓損壞器件。此外，散熱設計也至關重要，需根據(jù)實際工作條件選擇合適的散熱器或散熱方式。

SGW20N60 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
SGx20N60
標準包裝
240
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
IGBT - 單路
系列
-
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.4V @ 15V，20A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
40A
功率 - 最大
179W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
PG-TO247-3
包裝
管件
其它名稱
SP000012466

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