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SGP15N120

更新時間:2025-06-18 22:21:36

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SGP15N120 概述

SGP15N120是由Vishay公司生產(chǎn)的一款高壓MOSFET。該器件采用先進的硅技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓（VDS）可達1200V，連續(xù)漏極電流（ID）為15A，在高溫條件下依然能夠保持穩(wěn)定性能。典型的應用場景包括工業(yè)電源、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、電機驅(qū)動以及各類需要高電壓處理能力的功率轉(zhuǎn)換設備。在實際應用中，建議合理設計散熱系統(tǒng)以確保器件長時間穩(wěn)定工作，并且在PCB布局時盡量減小柵極回路的寄生電感以避免振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。對于高頻應用場合，需特別關注柵極電阻的選擇以優(yōu)化開關速度與EMI性能之間的平衡。

SGP15N120 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
SGx15N120
標準包裝
500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
IGBT - 單路
系列
-
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
3.6V @ 15V，15A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
30A
功率 - 最大
198W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
PG-TO220-3
包裝
管件
其它名稱
SP000683122

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