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SGD02N120

更新時間:2025-06-13 11:48:57

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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2500個/圓盤一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期

深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司
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原裝現(xiàn)貨

深圳市得捷芯城科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，當(dāng)天可交貨，原型號開票

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深圳誠思涵科技有限公司
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深圳市誠研翔科技有限公司
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SGD02N120 概述

SGD02N120是由STMicroelectronics生產(chǎn)的高性能N溝道功率MOSFET。該器件設(shè)計用于高電壓應(yīng)用，最大漏源電壓（Vds）可達(dá)1200V，連續(xù)漏極電流（Id）為2A。其低導(dǎo)通電阻（Rds(on)）有助于減少功耗并提高效率，特別適用于工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備中的開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動以及不間斷電源系統(tǒng)等場景。在實(shí)際應(yīng)用中，SGD02N120通常用于需要高效能量轉(zhuǎn)換的電路中，如高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器和交流電機(jī)控制。由于其高耐壓特性，也適合應(yīng)用于惡劣電氣環(huán)境下的功率管理模塊。使用時應(yīng)注意合理選擇柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關(guān)速度，并確保散熱設(shè)計足夠應(yīng)對可能產(chǎn)生的熱損耗。在電路設(shè)計時，推薦采用標(biāo)準(zhǔn)TO-252封裝形式進(jìn)行布局，以便于焊接和安裝。

SGD02N120 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
SGx02N120
標(biāo)準(zhǔn)包裝
2,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
IGBT - 單路
系列
-
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
3.6V @ 15V，2A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
6.2A
功率 - 最大
62W
輸入類型
標(biāo)準(zhǔn)型
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PG-TO252-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SP000012566

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