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SCTH100N65G2-7AG

更新時間:2025-05-23 15:43:26

供應商
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數(shù)量
廠商
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詢價

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SCTH100N65G2-7AG 概述

SCTH100N65G2-7AG是由STMicroelectronics生產(chǎn)的高性能功率MOSFET。這款器件采用先進的第三代MDmesh技術，具有極低的導通電阻和高開關速度，適用于高頻開關電源和其他高效能電力電子設備。其最大漏源電壓（Vds）為650V，連續(xù)漏電流（Id）可達100A，適合用于高壓應用場合。典型應用場景包括服務器電源、太陽能逆變器、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）以及工業(yè)電機驅(qū)動等。在實際應用中，建議在PCB布局時盡量減小柵極回路的寄生電感以優(yōu)化開關性能。此外，應確保柵極驅(qū)動電路能夠提供足夠的驅(qū)動能力，避免因驅(qū)動不足導致的器件損壞或性能下降。對于熱管理方面，推薦使用適當?shù)纳岽胧┮跃S持最佳工作溫度。

SCTH100N65G2-7AG 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
Automotive, AEC-Q101
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
95A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
26 毫歐 @ 50A，18V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 5mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
162 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+22V，-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
3315 pF @ 520 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
360W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
H2PAK-7
封裝/外殼
TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA

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廣東微爾科技有限公司

SCTH100N65G2-7AG推薦型號

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