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SCT2H12NZGC11

更新時間:2025-06-10 16:28:00

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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300000
ROHM(羅姆)
TO3PF3/23+
一級代理商可提供技術(shù)方案支持

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一級總代理商原廠原裝大批量現(xiàn)貨一站式服務

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65200
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TO3PFM/21+
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深圳市永貝爾半導體有限公司
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TO3PFM/23+/22+
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柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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北京金州智業(yè)科技有限公司
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SCT2H12NZGC11 概述

SCT2H12NZGC11是STMicroelectronics生產(chǎn)的一款高性能高壓MOSFET。該器件采用先進的溝槽柵極技術(shù)，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效能電源轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓為650V，適合在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、工業(yè)電機驅(qū)動以及開關(guān)電源設(shè)計等。在實際應用中，建議在電路設(shè)計時充分考慮散熱管理，確保MOSFET能夠在安全的工作溫度范圍內(nèi)運行。由于其較高的耐壓能力，在設(shè)計時還需注意防止過壓情況發(fā)生，以避免器件損壞。對于需要高效能量轉(zhuǎn)換的應用場合，此款MOSFET是一個理想的選擇。此外，使用適當?shù)拈T極驅(qū)動電路也是確保最佳性能的關(guān)鍵因素之一。

SCT2H12NZGC11 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
-
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
1700 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
3.7A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
1.5 歐姆 @ 1.1A，18V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 900μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
14 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+22V，-6V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
184 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
35W（Tc）
工作溫度
175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-3PFM
封裝/外殼
TO-3PFM，SC-93-3

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廣東微爾科技有限公司

SCT2H12NZGC11推薦型號

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SCT2000AB
SCT2024
SCT2024CSSG
SCT2024CSTG
SCT2026
SCT2026CSSG
SCT2026CSTG
STM8S903K3T6C

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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