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SCT1000N170

更新時間:2025-05-31 04:28:44

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SCT1000N170 概述

SCT1000N170是由STMicroelectronics生產的N溝道功率MOSFET。該器件設計用于高效率和高速開關應用，具有低導通電阻和柵極電荷特性。其最大漏源電壓為170V，適用于多種工業(yè)電源管理和電機驅動場景。在不間斷電源（UPS）、逆變器以及電池充電電路中表現(xiàn)出色。由于其快速的開關速度，還能減少能量損耗，提升系統(tǒng)整體效率。使用時需注意柵極驅動電壓要保持在規(guī)定范圍內以確?？煽抗ぷ?，并且在PCB布局上盡量減小寄生電感對開關性能的影響。對于需要高壓側開關的應用，可采用合適的柵極驅動芯片來增強性能。

SCT1000N170 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
-
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
1700 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
7A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
1.3 歐姆 @ 3A，20V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
13.3 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+22V，-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
133 pF @ 1000 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
96W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 200°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
HiP247?
封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

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