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RSD080P05TL

更新時間:2025-05-28 15:31:24

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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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RSD080P05TL 概述

RSD080P05TL是羅姆半導體(ROHM Semiconductor)生產(chǎn)的一款低導通電阻P溝道MOSFET。該器件采用緊湊型SOT-23FL封裝，具有8V的漏源擊穿電壓(VDS)，適用于需要低功耗和高效能的便攜式設備。典型應用場景包括智能手機、平板電腦等移動設備的電源管理電路，如負載開關或DC-DC轉換器中的同步整流管。其最大導通電阻(RDS(on))僅為0.08Ω（典型值），這有助于降低傳導損耗，提高整體系統(tǒng)效率。在實際應用中，建議使用適當?shù)臇艠O驅動電路以確保MOSFET充分開啟和關閉。由于是P溝道類型，注意其柵極相對于源極為負電壓才能導通。設計時應考慮散熱要求，雖然SOT-23FL封裝體積小，但通過合理布局PCB可以有效散熱，保證器件可靠工作。

RSD080P05TL 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）
產(chǎn)品狀態(tài)
不適用于新設計
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
45 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
8A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
91 毫歐 @ 8A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
93.4 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
11000 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
15W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
CPT3
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

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