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RS1E130GNTB

更新時間:2025-05-22 07:24:01

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RS1E130GNTB 概述

RS1E130GNTB是Rohm半導體公司生產(chǎn)的一款MOSFET。該型號為N溝道增強型場效應晶體管，采用小型表面貼裝封裝，適合高密度安裝要求。其低導通電阻特性有助于降低電路損耗，提升整體效率。該MOSFET適用于電源管理電路、DC-DC轉換器以及電機驅動等應用場合。在實際應用中，建議根據(jù)具體電路需求選擇合適的柵極驅動電壓，并確保散熱設計合理以維持穩(wěn)定工作溫度。使用時要注意防止靜電損壞，推薦采取適當?shù)腅SD防護措施。由于其緊湊的封裝尺寸，在PCB布局時要特別注意焊盤設計和走線安排，以確保良好的焊接質量和電氣性能。

RS1E130GNTB 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
228現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
13A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
11.7 毫歐 @ 13A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
7.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
420 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W（Ta），22.2W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-HSOP
封裝/外殼
8-PowerTDFN

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