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RQ6E050ATTCR

更新時間:2025-06-11 14:15:47

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RQ6E050ATTCR 概述

RQ6E050ATTCR是Rohm半導體公司生產的一款低導通電阻N溝道MOSFET。該器件采用小型SOT-23封裝，具有低至50mΩ（最大值）的導通電阻，適用于電池供電設備中對能效要求較高的電路。典型應用包括智能手機、平板電腦等便攜式電子產品的電源管理電路，如負載開關和DC-DC轉換器。其柵極閾值電壓范圍寬泛，確保在不同工作條件下均能穩(wěn)定運行。在實際應用中，建議注意布局走線以減小寄生電感，并在柵極串聯適當阻值的電阻以抑制振蕩現象。使用時應遵循標準靜電防護措施，避免器件損壞。

RQ6E050ATTCR 規(guī)格參數

現有數量
11,475現貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
5A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
27 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
20.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
940 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TSMT6（SC-95）
封裝/外殼
SOT-23-6 細型，TSOT-23-6

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RQ6E050ATTCR推薦型號

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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