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RQ3E180BNTB

更新時間:2025-06-20 10:36:05

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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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RQ3E180BNTB 概述

RQ3E180BNTB是瑞薩電子生產的一款MOSFET管。這款產品采用SOP Advance封裝，具有低導通電阻特性，在節(jié)省空間的同時能夠實現(xiàn)高效能的功率轉換。該MOSFET適用于多種電源管理場景，如DC - DC轉換器、電機驅動等。在筆記本電腦、平板電腦等便攜式設備中，可用于優(yōu)化電源管理系統(tǒng)，提高設備的整體效率并延長電池使用時間。在實際應用時，需注意其最大電壓和電流限制以確保正常工作。例如在設計DC - DC轉換電路時，要根據(jù)輸入輸出電壓要求合理選擇外圍元件參數(shù)，保證MOSFET處于安全工作區(qū)域內。

RQ3E180BNTB 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
5,450現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
39A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
3.9 毫歐 @ 18A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
37 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
3500 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta），20W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-HSMT（3.2x3）
封裝/外殼
8-PowerVDFN

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廣東微爾科技有限公司

RQ3E180BNTB推薦型號

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RQ3E080BNFU7TB
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RQ3E100BSFU7TB
RQ3E150BN
RQ3E150MNTB
RTL8103EL

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