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RQ3E150GNTB

更新時間:2025-06-02 06:45:56

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RQ3E150GNTB 概述

RQ3E150GNTB是瑞薩電子生產(chǎn)的一款MOSFET管。該型號屬于低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)的N溝道MOSFET，采用小型表面貼裝封裝，非常適合空間受限的應(yīng)用場景。在電路設(shè)計中，它常用于電源管理模塊，例如DC-DC轉(zhuǎn)換器和負(fù)載開關(guān)等場合。其低導(dǎo)通電阻特性有助于降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。由于具有較快的開關(guān)速度，能夠減少開關(guān)過程中的能量損失，因此在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。使用時需要注意柵極驅(qū)動電壓的選擇，確保達(dá)到完全開啟狀態(tài)所需的電壓值。在PCB布局上要特別關(guān)注源極和漏極走線的設(shè)計，盡量縮短走線長度以減少寄生電感的影響。對于熱設(shè)計方面，應(yīng)根據(jù)實際工作電流和散熱條件合理選擇散熱方式，保證器件在安全溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。

RQ3E150GNTB 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
19,963現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
15A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
6.1 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
15.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
850 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta），17.2W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
8-HSMT（3.2x3）
封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

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