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RGTH60TS65DGC11

更新時間:2025-05-21 04:34:56

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RGTH60TS65DGC11 概述

RGTH60TS65DGC11是由Rohm Semiconductor生產(chǎn)的一款碳化硅（SiC）功率晶體管。該器件采用了先進的溝槽柵極結構，具有低導通電阻和高開關速度的特點。其最大漏源電壓為650V，適用于需要高效率和高可靠性的電源轉換應用，如太陽能逆變器、電動汽車充電系統(tǒng)和工業(yè)電機驅動等場景。此外，它還具備出色的高溫工作性能，在惡劣環(huán)境下依然能保持穩(wěn)定運行。由于其較低的開關損耗和快速的開關特性，能夠顯著提高系統(tǒng)效率并減少散熱需求，有助于實現(xiàn)更緊湊的設計。在實際應用中需注意合理的PCB布局以確保良好的熱管理和電磁兼容性。

RGTH60TS65DGC11 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
-
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
不適用于新設計
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）
58 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)
120 A
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，30A
功率 - 最大值
194 W
開關能量
-
輸入類型
標準
柵極電荷
58 nC
25°C 時 Td（開/關）值
27ns/105ns
測試條件
400V，30A，10 歐姆，15V
反向恢復時間 (trr)
58 ns
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
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供應商器件封裝
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RGTH60TS65DGC11相關型號

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