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RFD10P03LSM

更新時間:2025-05-19 11:45:22

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
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詢價

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RFD10P03LSM 概述

RFD10P03LSM是羅姆半導體(ROHM Semiconductor)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的溝槽柵結構，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種電源管理應用。其最大漏極-源極電壓為30V，連續(xù)漏極電流可達10A，在小型SOP-8封裝中實現(xiàn)了高效能表現(xiàn)。典型應用場景包括直流-直流轉換器、負載開關和電機驅動電路等。由于其出色的熱性能和電氣特性，特別適合對效率和空間要求較高的便攜式設備如智能手機和平板電腦中的電源管理系統(tǒng)。使用時需注意適當?shù)纳嵩O計，并遵循推薦的PCB布局指南以確保最佳性能。在實際應用中，建議參考數(shù)據(jù)手冊進行電路設計，特別是關注柵極驅動電壓和電流能力的要求。

RFD10P03LSM 規(guī)格參數(shù)

制造商
Fairchild Semiconductor
晶體管極性
P-Channel
汲極/源極擊穿電壓
- 30 V
閘/源擊穿電壓
+/- 10 V
漏極連續(xù)電流
10 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.2 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-252
下降時間
20 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
65 W
上升時間
50 ns
典型關閉延遲時間
35 ns

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