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RF4E110GNTR

更新時間:2025-05-30 17:02:47

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RF4E110GNTR 概述

RF4E110GNTR是瑞薩電子生產(chǎn)的一款射頻前端模塊。此款芯片集成了功率放大器、低噪聲放大器及開關(guān)電路，專為無線通信設(shè)備設(shè)計。它主要用于GSM和EDGE標準的移動通信設(shè)備中，在手機、平板等移動終端設(shè)備里發(fā)揮關(guān)鍵作用。在應用方面，由于其集成度高，可簡化射頻前端電路設(shè)計，減少外圍元件數(shù)量，提高系統(tǒng)可靠性并節(jié)省電路板空間。使用時需注意按照瑞薩提供的參考設(shè)計進行匹配電路的設(shè)計以確保最佳性能。例如在與天線連接部分，要保證阻抗匹配良好，避免信號反射影響傳輸效率。同時在電源設(shè)計上，要提供穩(wěn)定且低噪聲的供電，防止對內(nèi)部放大器等電路造成干擾。

RF4E110GNTR 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
7,027現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
11A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
11.3 毫歐 @ 11A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
7.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
504 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
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封裝/外殼
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