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RDX100N60FU6

更新時間:2025-05-24 18:39:53

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RDX100N60FU6

ROHM Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM

封裝:TO-220-3 整包

RDX100N60FU6 概述

RDX100N60FU6是瑞薩電子生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的平面柵極結(jié)構(gòu)，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻開關(guān)電源應用。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達100A，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定性能。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、電機驅(qū)動以及工業(yè)電源等需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合。在這些應用中，RDX100N60FU6能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率。使用時應注意合理選擇柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關(guān)速度，并確保足夠的散熱設計以維持器件長期可靠運行。建議在實際電路設計中參考瑞薩電子提供的最新數(shù)據(jù)手冊進行參數(shù)配置。

RDX100N60FU6 規(guī)格參數(shù)

特色產(chǎn)品
ECOMOS? Series MOSFETs
標準包裝
500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
10A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
650 毫歐 @ 5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
45nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1600pF @ 25V
功率 - 最大
45W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FM
包裝
散裝

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