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R6035ENZC8

更新時間:2025-06-12 17:45:59

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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藍界科技（深圳）有限公司
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TO3P3/18+
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深圳市科鑫美電子有限公司
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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市力拓輝電子有限公司
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R6035ENZC8 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
-
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
35A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
102 毫歐 @ 18.1A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2720 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
120W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-3PF
封裝/外殼
TO-3P-3 整包

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R6030ENX
RL207

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