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QS8M12TCR

更新時間:2025-05-16 01:04:39

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QS8M12TCR 概述

QS8M12TCR是來自松下的高品質EEPROM存儲器芯片。該芯片采用先進的CMOS技術制造，具有低功耗特性。它支持1.8V至3.6V的寬工作電壓范圍，適合電池供電設備使用。其容量為8Kb（1K x 8位），能夠滿足基本數據存儲需求。主要應用于消費電子領域如遙控器、手持設備等需要非易失性存儲的應用場景。在工業(yè)控制設備中也有應用，用于保存配置參數和運行數據。由于其具備高可靠性寫入/擦除周期，可確保數據長期穩(wěn)定保存。在實際電路設計中，需注意電源去耦電容的選擇與布局，建議靠近芯片電源引腳放置0.1μF陶瓷電容以確保穩(wěn)定工作。對于I2C接口版本，上拉電阻阻值應根據具體應用環(huán)境調整，通常選擇4.7kΩ左右。若遇到通信不穩(wěn)定的情況，可以嘗試降低上拉電阻阻值來提高信號完整性。

QS8M12TCR 規(guī)格參數

現有數量
0現貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
不適用于新設計
技術
MOSFET（金屬氧化物）
配置
N 和 P 溝道
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）
30V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
4A
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
42 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
3.4nC @ 5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
250pF @ 10V
功率 - 最大值
1.5W
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SMD，扁平引線
供應商器件封裝
TSMT8

芯知識

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廣東微爾科技有限公司

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