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PSMN0R9-25YLDX

更新時間:2025-05-24 09:03:41

供應商
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數(shù)量
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說明
詢價

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昂富（深圳）電子科技有限公司
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深圳市堯豐發(fā)科技有限公司
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深圳市誠謙順電子有限公司
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柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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芯德微聯(lián)（深圳）電子有限公司
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惠州市利灣智能科技有限責任公
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PSMN0R9-25YLDX 概述

PSMN0R9-25YLDX是一款由Nexperia公司生產的MOSFET。該MOSFET屬于N溝道類型，具有極低的導通電阻，在25V電壓條件下其最大導通電阻僅為0.9mΩ，這有助于降低能量損耗，提高系統(tǒng)效率。它采用了LFPAK33封裝形式，這種封裝不僅尺寸小巧，而且具備出色的熱性能。該芯片適用于多種應用場景，如電源管理電路、同步整流電路等。在電源管理系統(tǒng)中，它可以作為開關管來控制電流的通斷，由于其低導通電阻特性，能夠減少在開關過程中的功率損耗。在進行電路設計時，需要注意其柵極驅動電壓范圍以確?？煽块_啟和關閉，并且要合理布局散熱以保證穩(wěn)定工作。

PSMN0R9-25YLDX 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
1,500現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
25 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
300A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
0.85 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
89.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
6721 pF @ 12 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
238W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
LFPAK56，Power-SO8
封裝/外殼
SC-100，SOT-669

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廣東微爾科技有限公司

PSMN0R9-25YLDX推薦型號

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PSMN003-25W
PSMN003-25W.127
PSMN00330B
PSMN003-30B
PSMN00330P
PSMN004-25B
PSMN00425P
PC817B

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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