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PSMN070-200P

更新時間:2025-05-15 18:41:15

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PSMN070-200P 概述

PSMN070-200P是一款由Nexperia公司生產的功率MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，具有低導通電阻和高效率的特點，適用于需要高效功率轉換的應用場景。基礎描述方面，其最大漏源電壓為200V，連續(xù)漏極電流可達15A，適用于中等功率的電源管理應用。在工業(yè)控制、電源供應器、電機驅動等領域有著廣泛應用。此外，由于其柵極電荷較低，能夠實現快速開關操作，非常適合高頻應用環(huán)境。應用場景包括但不限于DC-DC轉換器、電池充電器、不間斷電源（UPS）系統(tǒng)以及各類消費電子產品的電源管理系統(tǒng)。在實際使用時，建議關注散熱設計以確保最佳性能，同時注意電路布局以減少寄生電感影響開關性能。對于初學者來說，在PCB布局時應盡量縮短源極到柵極驅動電路的距離，并使用適當的去耦電容來提高穩(wěn)定性。

PSMN070-200P 規(guī)格參數

制造商
NXP
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
200 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
35 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.07 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220AB
封裝
Rail
下降時間
90 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
250 W
上升時間
100 ns
工廠包裝數量
50
典型關閉延遲時間
80 ns
零件號別名
PSMN070-200P,127

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