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PMV55ENEAR

更新時間:2025-05-16 15:09:59

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原裝原盤原盒可追溯

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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

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深圳市偉芯源電子科技有限公司
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原裝有現(xiàn)貨 QQ420045561 VX

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安徽芯海技術(shù)有限公司
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46000
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科大訊飛戰(zhàn)略投資企業(yè)，提供一站式配套服務

深圳市萬芯時代貿(mào)易有限公司
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N/A/25+
回收此型號PMV55ENEAR

深圳市科鑫美電子有限公司
PMV55ENEAR
9000
Nexperia
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PMV55ENEAR 概述

PMV55ENEAR是一款由Nexperia公司生產(chǎn)的P溝道MOSFET。該器件采用先進的Trench MOS技術(shù)，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效能的電源管理應用。其最大漏源電壓為-30V，適合于需要中等功率處理能力的電路。典型應用場景包括負載開關(guān)、電源管理以及電池保護電路。在便攜式設備如智能手機和平板電腦中，它常被用于延長電池壽命和提高系統(tǒng)效率。由于其緊湊的封裝形式（TSOP6），特別適合空間受限的設計需求。使用時應注意確保柵極驅(qū)動電壓足夠以實現(xiàn)最低的導通電阻，并且要注意散熱設計，避免過熱影響性能和可靠性。在實際電路設計中，可將其與適當?shù)目刂七壿嬇浜鲜褂脕韮?yōu)化電源路徑管理。

PMV55ENEAR 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
3,000現(xiàn)貨
系列
Automotive, AEC-Q101
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
不適用于新設計
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
3.1A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
60 毫歐 @ 3.1A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
646 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
478mW（Ta），8.36W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-236AB
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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廣東微爾科技有限公司

PMV55ENEAR推薦型號

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PMV56XN,215
PMV56XN/DG
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