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PMV50XPR

更新時間:2025-07-08 15:02:48

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艾潤（香港）電子有限公司
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深圳市正川電子有限公司
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深圳市正納電子有限公司
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深圳市華芯源電子有限公司
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深圳市賽思爾科技有限公司
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21403
NXP
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原裝現(xiàn)貨，長期供應

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PMV50XPR 概述

PMV50XPR是一款由Nexperia公司生產(chǎn)的P溝道MOSFET。該器件采用小型無引腳DSON封裝，具有低導通電阻和高效率特點，適用于多種電源管理應用。其最大漏極-源極電壓為-30V，適合在電池供電設備和低壓電路中使用。典型應用場景包括負載開關、電源管理模塊以及便攜式電子設備中的功率控制。由于其緊湊的封裝設計和優(yōu)異的熱性能，特別適合空間受限的設計。在實際應用中，需注意柵極驅動電壓的選擇以確保MOSFET完全開啟，建議使用合適的柵極電阻來控制開關速度，避免不必要的EMI干擾。此外，在PCB布局時應盡量減小源極到地的路徑電感，以優(yōu)化性能。

PMV50XPR 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
23,486現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
3.6A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
60 毫歐 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
12 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
744 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
490mW（Ta），4.63W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-236AB
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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廣東微爾科技有限公司

PMV50XPR推薦型號

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PMV50UPE
PMV50XP
PMV56XN
PMV56XN,215
PMV56XN/DG
PRTR5V0U2X

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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