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PMV100ENEAR

更新時間:2025-05-25 13:13:30

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PMV100ENEAR 概述

PMV100ENEAR是一款由Nexperia公司生產的P溝道增強型MOSFET。它采用超小型無引腳DSON封裝，具有極低的導通電阻和快速開關特性，適用于對尺寸要求嚴格的高效電源管理應用。該MOSFET的最大漏源電壓為-20V，在2.5V柵極驅動下的導通電阻典型值僅為37mΩ，這有助于減少功耗并提高系統(tǒng)效率。在便攜式設備如智能手機和平板電腦中，PMV100ENEAR常用于電池管理和負載切換電路。由于其緊湊的設計，非常適合空間受限的應用場景。在使用時，建議確保柵極驅動電壓足夠高以實現(xiàn)最低導通電阻，并且注意散熱設計以維持長期可靠性。在電路設計中，可直接替換同封裝類型但性能較低的MOSFET，以提升整體效率。

PMV100ENEAR 規(guī)格參數

現(xiàn)有數量
0現(xiàn)貨
系列
Automotive, AEC-Q101
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
不適用于新設計
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
3A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
72 毫歐 @ 3A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
5.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
160 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
460mW（Ta），4.5W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-236AB
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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廣東微爾科技有限公司

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PMV160UP
PMV160UP,215
PMV16UN
PMV16UN,215
PMV16XN
PMV170UN
PT6311

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