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PMGD400UN,115

更新時間:2025-05-16 02:35:19

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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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PMGD400UN,115外觀圖

PMGD400UN,115

NXP Semiconductors FET - 陣列

MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363

封裝:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

PMGD400UN,115 概述

PMGD400UN,115是由Nexperia公司生產(chǎn)的P溝道增強型MOSFET。它采用超小尺寸的SOT23封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。該器件的最大漏源電壓為-40V，在室溫下連續(xù)漏極電流可達-1.2A。其柵極閾值電壓范圍合理，保證了在多種電路條件下的穩(wěn)定工作。此MOSFET適用于電池供電設備、負載開關(guān)和電源管理應用中。例如，在便攜式電子產(chǎn)品中用作高效功率控制開關(guān)，或者在直流-直流轉(zhuǎn)換器里實現(xiàn)電能的精準調(diào)控。設計時需注意其最大功耗限制，確保散熱良好以維持性能穩(wěn)定。根據(jù)具體應用場景選擇合適的驅(qū)動電壓，避免超出柵極耐壓范圍。在電路布局上，盡量縮短源極與漏極之間的走線長度，減少寄生電感對開關(guān)性能的影響。

PMGD400UN,115 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
TrenchMOS™
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
710mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
480 毫歐 @ 200mA，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
0.89nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
43pF @ 25V
功率 - 最大
410mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商設備封裝
6-TSSOP
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
PMGD400UN115-CHP

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