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PHX9NQ20T

更新時間:2025-05-20 10:20:40

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PHX9NQ20T 概述

PHX9NQ20T是由Puhua Microelectronics生產(chǎn)的高性能MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效電源轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓為200V，適合用于高壓應用環(huán)境。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及工業(yè)控制設備中的功率管理部分。在實際應用中，建議在電路設計時充分考慮散熱管理，確保MOSFET工作在安全溫度范圍內(nèi)。由于其高效率特點，非常適合于需要節(jié)能和降低熱耗散的設計。在布局PCB時，應盡量縮短柵極回路以減少寄生電感，從而避免振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。此外，在選擇驅(qū)動電路時應注意匹配柵極電容特性，以保證最佳的開關性能。

PHX9NQ20T 規(guī)格參數(shù)

制造商
NXP
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
200 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
5.2 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.4 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220F
封裝
Rail
下降時間
15 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
25 W
上升時間
19 ns
工廠包裝數(shù)量
50
典型關閉延遲時間
25 ns
零件號別名
PHX9NQ20T,127

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