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PHW80NQ10T

更新時間:2025-06-24 14:30:38

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TO3P/2023
原裝現(xiàn)貨，實單支持

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PHW80NQ10T 概述

PHW80NQ10T是安森美半導體生產的一款N溝道MOSFET。該器件具有低導通電阻和高電流處理能力，典型應用包括電源管理、電機驅動以及需要高效功率轉換的工業(yè)設備中。其優(yōu)化的設計使得它在高頻開關應用中表現(xiàn)出色，有助于減少能量損耗并提高整體系統(tǒng)效率。由于具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，在惡劣環(huán)境下也能穩(wěn)定工作。在實際應用中，建議關注柵極驅動電路的設計以確?？煽块_啟和關閉MOSFET，并且注意散熱設計以維持器件正常工作溫度。對于電源轉換器設計，可參考典型降壓或升壓電路結構進行布局。

PHW80NQ10T 規(guī)格參數

制造商
NXP
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
100 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
80 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.015 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Rail
下降時間
95 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
263 W
上升時間
80 ns
工廠包裝數量
25
典型關閉延遲時間
150 ns
零件號別名
PHW80NQ10T,127

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