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PHT6N06LT

更新時間:2025-06-17 08:04:35

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PHT6N06LT 概述

PHT6N06LT是一款由STMicroelectronics生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率轉換應用。其最大漏源電壓為60V，連續(xù)漏極電流能力達到6A，使其在中小功率等級的電源管理電路中表現(xiàn)出色。典型應用場景包括直流-直流轉換器、電動工具驅動、LED照明以及各種需要高效電能管理的便攜式設備。由于其低柵極電荷量，PHT6N06LT能夠實現(xiàn)快速開關，減少開關損耗，提高整體系統(tǒng)效率。在實際應用中，建議根據(jù)具體需求選擇合適的柵極驅動電阻值，并注意散熱設計以確保穩(wěn)定運行。對于高頻率開關應用，需特別關注PCB布局以最小化寄生電感和電容的影響。

PHT6N06LT 規(guī)格參數(shù)

典型關斷延遲時間
25 ns
典型接通延遲時間
11 ns
典型柵極電荷@Vgs
4.5 nC V @ 5
典型輸入電容值@Vds
250 pF V @ 25
安裝類型
表面貼裝
寬度
3.7mm
封裝類型
SC-73
尺寸
6.7 x 3.7 x 1.7mm
引腳數(shù)目
4
最低工作溫度
-55 °C
最大功率耗散
1800 mW
最大柵源電壓
±13 V
最大漏源電壓
55 V
最大漏源電阻值
0.15
最大連續(xù)漏極電流
5.5 A
最高工作溫度
+150 °C
每片芯片元件數(shù)目
1
類別
功率 MOSFET
通道模式
增強
通道類型
N
配置
雙漏極、單
長度
6.7mm
高度
1.7mm

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