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PHP29N08T

更新時間:2025-07-03 11:42:17

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PHP29N08T 概述

PHP29N08T是來自Psemi（原Peregrine Semiconductor）的一款增強型功率MOSFET。該器件采用UltraCMOS技術制造，具備高效率和低導通電阻的特點。其最大漏極-源極電壓為80V，連續(xù)漏極電流可達29A，非常適合需要高功率密度和高效能的應用場景。典型應用包括DC-DC轉換器、負載開關、電機驅動以及電池管理系統(tǒng)等。由于其快速的開關速度和低柵極電荷，有助于提高系統(tǒng)整體效率并減少熱損耗。在設計時應注意適當散熱措施，并根據具體應用選擇合適的柵極驅動電路。對于DC-DC轉換器應用，建議配合PWM控制器使用以實現(xiàn)最佳性能。務必確保工作電壓不超過額定值，并注意防止靜電損壞。

PHP29N08T 規(guī)格參數

制造商
NXP
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
75 V
閘/源擊穿電壓
30 V
漏極連續(xù)電流
27 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.05 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220AB
封裝
Rail
下降時間
9 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
88 W
上升時間
70 ns
工廠包裝數量
50
典型關閉延遲時間
15 ns
零件號別名
PHP29N08T,127

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PHP20N06E
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PHP21N06LT
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PESD5V0L2BT

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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