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PHK31NQ03LT,518

更新時間:2025-05-31 18:07:01

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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市福田區(qū)超洋芯電子經營部
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深圳市弘為電子有限公司
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特裕電子(深圳)有限公司
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PHK31NQ03LT,518外觀圖

PHK31NQ03LT,518

NXP Semiconductors FET - 單

MOSFET N-CH 30V 30.4A 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

PHK31NQ03LT,518 概述

PHK31NQ03LT,518是恩智浦半導體(NXP Semiconductors)生產的一款MOSFET晶體管。該器件采用P溝道設計，具備低導通電阻和高效率特性。其最大漏源電壓為-30V，適合用于需要高效功率轉換的應用場景。典型應用場景包括便攜式設備、電池管理系統(tǒng)以及需要P溝道MOSFET的電源管理電路中。該器件采用小型DFN封裝，尺寸緊湊，有助于節(jié)省PCB空間并提高功率密度。在應用時應注意，由于其P溝道特性，在驅動電路設計中需確保合適的柵極驅動電壓以實現最佳性能。建議在柵極串聯小阻值電阻來抑制振蕩，并在源極和柵極之間添加適當的下拉電阻以確保穩(wěn)定關斷狀態(tài)。對于高頻開關應用，需特別關注封裝的熱性能以保證可靠工作。

PHK31NQ03LT,518 規(guī)格參數

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
30.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.4 毫歐 @ 25A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.15V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
33nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4235pF @ 12V
功率 - 最大
6.9W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SO
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
934058879518PHK31NQ03LT /T3PHK31NQ03LT /T3-ND

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