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PEMD12,115

更新時間:2025-06-03 09:38:07

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PEMD12,115外觀圖

PEMD12,115

NXP Semiconductors 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT666

封裝:SOT-563，SOT-666

PEMD12,115 概述

PEMD12,115是Nexperia公司生產(chǎn)的一款雙路ESD保護二極管陣列。此元件采用超小型DFN1110D-3封裝，適合用于便攜式設備中以節(jié)省空間。它專為保護高速數(shù)據(jù)線路免受靜電放電(ESD)沖擊而設計，在不超過12V的工作電壓下提供有效的防護。該元件在智能手機、平板電腦及其它手持設備的數(shù)據(jù)接口保護方面應用廣泛。例如可用于USB 2.0接口、音頻線路等需要高速信號傳輸同時又要考慮ESD防護的場合。其低電容特性確保了信號完整性不受影響，快速響應時間可及時鉗位瞬態(tài)電壓，保護后級電路安全。使用時需注意正確區(qū)分引腳定義，避免反接造成損壞。推薦在PCB布局時盡量縮短走線長度以優(yōu)化性能。由于其緊湊尺寸，在手工焊接時要特別小心控制溫度和時間，防止過熱損傷元件。

PEMD12,115 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
4,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
系列
-
晶體管類型
1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）
47k
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）
47k
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
80 @ 5mA，5V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
150mV @ 500µA，10mA
電流 - 集電極截止（最大）
1µA
頻率 - 轉(zhuǎn)換
-
功率 - 最大
300mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SOT-563，SOT-666
供應商設備封裝
SOT-666
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
934056859115PEMD12 T/RPEMD12 T/R-ND

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