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PDTA114ET,215

更新時間:2025-07-05 22:44:43

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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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柒號芯城，離原廠的距離只有0.07公分

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PDTA114ET,215外觀圖

PDTA114ET,215

NXP Semiconductors 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

TRANS PNP W/RES 50V SOT-23

封裝:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

PDTA114ET,215 概述

PDTA114ET,215是由Nexperia公司生產(chǎn)的PNP晶體管。該晶體管采用SOT323封裝，這是一種小型表面貼裝封裝，適合高密度電路板設(shè)計。其集電極-發(fā)射極電壓為45V，可滿足多種低功耗應(yīng)用需求。此晶體管在開關(guān)和放大電路中有廣泛應(yīng)用，如手機、平板電腦等便攜式電子設(shè)備中的信號放大與處理電路。由于它具有較低的飽和電壓和較高的電流增益，也適用于驅(qū)動小功率負(fù)載，例如LED指示燈。在實際應(yīng)用中，應(yīng)注意其最大集電極電流不超過100mA以避免損壞器件。當(dāng)用于開關(guān)電路時，需合理選擇基極電阻以確保可靠導(dǎo)通與截止。在放大電路中，要關(guān)注偏置電路的設(shè)計以穩(wěn)定工作點，防止出現(xiàn)失真現(xiàn)象。

PDTA114ET,215 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
1
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式
系列
-
晶體管類型
PNP - 預(yù)偏壓
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）
10k
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）
10k
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
30 @ 5mA，5V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
150mV @ 500µA，10mA
電流 - 集電極截止（最大）
1µA
頻率 - 轉(zhuǎn)換
-
功率 - 最大
250mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-236AB
包裝
Digi-Reel®
其它名稱
568-6425-6

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PDTA113EE
PDTA113EE,115
PDTA113ES
PDTA113ET
PDTA113EU
PDTA113ZE
PC929

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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