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PBSS2515M

更新時間:2025-07-09 07:55:54

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
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封裝/批號
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PBSS2515M 概述

PBSS2515M是由Nexperia公司生產(chǎn)的一款P溝道增強型MOSFET。該器件采用小型SOT-457封裝，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為-4.5V時典型值僅為30mΩ，這有助于減少在開關(guān)應(yīng)用中的功率損耗。其最大漏極-源極電壓（VDSS）為-20V，連續(xù)漏極電流（ID）在25°C下為-2.8A。這種MOSFET適合用于電池供電設(shè)備、負載開關(guān)以及DC-DC轉(zhuǎn)換器等需要高效功率管理的應(yīng)用場景中。由于其快速的開關(guān)速度和良好的熱性能，也常被應(yīng)用于便攜式電子產(chǎn)品如智能手機和平板電腦中作為電源管理的關(guān)鍵組件。使用時需注意確保工作環(huán)境溫度在規(guī)定范圍內(nèi)，并且正確設(shè)計PCB布局以優(yōu)化散熱效果。

PBSS2515M 規(guī)格參數(shù)

安裝類型
表面貼裝
寬度
0.62mm
封裝類型
SC-101
尺寸
0.47 x 1.02 x 0.62mm
引腳數(shù)目
3
晶體管類型
NPN
最低工作溫度
-65 °C
最大功率耗散
430 mW
最大發(fā)射極-基極電壓
6 V
最大基極-發(fā)射極飽和電壓
1.1 V
最大直流集電極電流
0.5 A
最大集電極-發(fā)射極電壓
15 V
最大集電極-發(fā)射極飽和電壓
0.25 V
最大集電極-基極電壓
15 V
最小直流電流增益
90 V
最高工作溫度
+150 °C
最高工作頻率
420 MHz
每片芯片元件數(shù)目
1
類別
雙極小信號
配置
單
長度
1.02mm
高度
0.47mm

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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