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NZT660A

更新時間:2025-07-03 09:31:24

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回收此型號NZT660A

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NZT660A外觀圖

NZT660A

Fairchild Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS PNP GP 60V 3A SOT223

封裝:TO-261-4，TO-261AA

NZT660A 概述

NZT660A是安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種電源管理應用。其最大漏源電壓為60V，在10V柵源電壓下典型導通電阻僅為45mΩ，可有效降低功率損耗。主要應用于DC-DC轉換器、負載開關、電機驅動等需要高效功率管理的場合。在便攜式設備如智能手機和平板電腦中常用于電池管理和充電電路。使用時應注意控制柵極驅動電壓以確保完全開啟，同時要考慮散熱設計避免過熱。在實際電路設計中，推薦使用適當?shù)臇艠O電阻來優(yōu)化開關速度并減少振鈴現(xiàn)象。

NZT660A 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
3A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
60V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
500mV @ 300mA，3A
電流 - 集電極截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
250 @ 500mA，2V
功率 - 最大
2W
頻率 - 轉換
75MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝
SOT-223-4
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NZT660A-NDNZT660ATR

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