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NVMFS5830NLT1G

更新時間:2025-05-25 11:47:37

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NVMFS5830NLT1G 概述

NVMFS5830NLT1G是由安森美半導體（ON Semiconductor）生產的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用小巧的Power56封裝，具有極低的導通電阻和柵極電荷，適用于高效率開關應用。其最大漏源電壓（Vds）為30V，連續(xù)漏極電流（Id）可達44A，使其非常適合用于DC-DC轉換器、負載開關及電池管理電路中。NVMFS5830NLT1G具備快速開關特性，能夠降低開關損耗，提升系統整體效率。此外，它還擁有良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，在緊湊的空間內提供高性能表現。由于其出色的電氣特性和封裝優(yōu)勢，這款MOSFET廣泛應用于便攜式設備、電源管理和汽車電子等領域。在實際應用中，建議仔細考慮PCB布局以優(yōu)化散熱性能，并確保驅動電路能提供足夠的柵極電壓來實現最低的導通電阻。

NVMFS5830NLT1G 規(guī)格參數

現有數量
0現貨
系列
*
包裝
卷帶（TR）
產品狀態(tài)
停產
FET 類型
-
技術
-
漏源電壓（Vdss）
-
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
-
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
-
Vgs（最大值）
-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
-
安裝類型
-
供應商器件封裝
-
封裝/外殼
-

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