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NVMFS5826NLT1G

更新時(shí)間:2025-05-27 14:53:05

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號(hào)
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優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品大量庫(kù)存原裝現(xiàn)貨

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深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照

深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司
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深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
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終端可以免費(fèi)供樣，支持BOM配單

深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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特價(jià)原裝現(xiàn)貨，一站配齊

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深圳市四雄微電子有限公司
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NVMFS5826NLT1G 概述

NVMFS5826NLT1G是由安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）生產(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用先進(jìn)的PowerTrench工藝制造。該器件設(shè)計(jì)用于優(yōu)化低導(dǎo)通電阻Rds(on)和高開(kāi)關(guān)速度之間的平衡，使其非常適合于同步整流、DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載切換以及電池管理電路等應(yīng)用場(chǎng)合。其最大漏源電壓Vds為30V，連續(xù)漏極電流Id可達(dá)40A（在25°C條件下），并且具有低柵極電荷Qg，有助于提高開(kāi)關(guān)效率。NVMFS5826NLT1G封裝形式為DFN8 5x6mm，這種緊湊的封裝不僅節(jié)省了PCB空間，還提供了良好的熱性能。在實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)注意合理布局以確保良好的散熱效果，并遵循制造商推薦的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)來(lái)保證最佳性能。

NVMFS5826NLT1G 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
*
包裝
卷帶（TR）
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
-
技術(shù)
-
漏源電壓（Vdss）
-
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
-
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
-
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）
-
Vgs（最大值）
-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
-
安裝類型
-
供應(yīng)商器件封裝
-
封裝/外殼
-

芯知識(shí)

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廣東微爾科技有限公司

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NVMFD5485NLWFT1G
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NVMFD5877NLT1G
NVMFS5832NL
NUP4201MR6T1G

IC型號(hào)索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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