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NVMD6N03R2G

更新時間:2025-07-08 10:15:50

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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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原裝現(xiàn)貨

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SOIC8/2026+
原裝優(yōu)勢有貨

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ON/安森美
-/23+
原裝現(xiàn)貨

深圳市譽輝天成電子有限公司
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5000
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深圳市南科功率半導體有限公司
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南科國產替代

柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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柒號芯城，離原廠的距離只有0.07公分

安富微（深圳）商貿有限公司
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進口現(xiàn)貨

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原裝現(xiàn)貨，可開票，提供賬期誠信服務

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NVMD6N03R2G外觀圖

NVMD6N03R2G

ON Semiconductor FET - 陣列

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

NVMD6N03R2G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
32 毫歐 @ 6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
30nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
950pF @ 24V
功率 - 最大
1.29W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOIC
包裝
帶卷 (TR)

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廣東微爾科技有限公司

NVMD6N03R2G相關型號

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