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NVD4806NT4G

更新時間:2025-05-28 14:05:14

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NVD4806NT4G 概述

NVD4806NT4G是安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。它采用小巧的SOT-23封裝，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為4.5V時典型值為0.047Ω，這有助于降低傳導損耗。其最大漏源電壓(VDS)為60V，連續(xù)漏極電流(ID)可達1.9A（在25°C條件下），適用于廣泛的負載開關和電源管理應用。由于其緊湊的尺寸和良好的電氣性能，這款MOSFET常用于DC-DC轉換器、負載切換以及便攜式設備中需要高效功率控制的場合。使用時需注意遵循正確的驅動電壓以確保完全開啟，并且要考慮到散熱設計，避免過熱影響性能或導致器件損壞。

NVD4806NT4G 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
Automotive, AEC-Q101
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
11.3A（Ta），79A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，11.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
6 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
23 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2142 pF @ 12 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.4W（Ta），68W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

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