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NVD3055-094T4G

更新時間:2025-05-17 21:48:30

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NVD3055-094T4G 概述

NVD3055-094T4G是安森美半導體(ON Semiconductor)生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為10V時典型值僅為0.028歐姆，有助于降低傳導損耗。其最大漏源電壓(VDS)可達60V，連續(xù)漏極電流(ID)最高為34A，適用于各種高效功率轉換應用。主要應用于開關電源、直流-直流轉換器、電機驅動以及負載切換等場合。在實際應用中，建議確保柵極驅動電路能提供足夠的電壓以充分開啟MOSFET。此外，在布局PCB時應盡量縮短源極到地的走線長度，減少寄生電感對開關性能的影響。對于高頻應用，可考慮添加適當的RC緩沖電路來抑制振鈴現象。

NVD3055-094T4G 規(guī)格參數

現有數量
0現貨
系列
Automotive, AEC-Q101
包裝
卷帶（TR）
產品狀態(tài)
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
12A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
94 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
450 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta），48W（Tj）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

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