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NUF6401MNT1G

更新時間:2025-07-03 09:49:09

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
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封裝/批號
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深圳市誠研翔科技有限公司
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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深圳市阿爾派電子科技有限公司
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深圳市萊克訊科技有限公司
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原包裝正品現(xiàn)貨庫存-正規(guī)渠道增值稅票

藍(lán)界科技（深圳）有限公司
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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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NUF6401MNT1G外觀圖

NUF6401MNT1G

ON Semiconductor EMI/RFI（LC、RC 網(wǎng)絡(luò)）

IC FILTER 6CH EMI ESD PROT 12DFN

封裝:12-VFDFN 裸露焊盤

NUF6401MNT1G 概述

NUF6401MNT1G是由安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款雙N溝道和P溝道MOSFET組合芯片。該器件采用小巧的Micro-8封裝，非常適合在空間受限的應(yīng)用中使用。其典型應(yīng)用場景包括電池供電設(shè)備、便攜式電子產(chǎn)品及需要高效電源管理的電路中。此款MOSFET組合具有低導(dǎo)通電阻特性，在節(jié)省電能的同時減少發(fā)熱，有助于延長電池續(xù)航時間。它能夠在2.5V至5.5V的電壓范圍內(nèi)正常工作，適用于低壓電路設(shè)計(jì)。由于其內(nèi)部集成有保護(hù)二極管，能夠?yàn)槊舾须娮釉峁╊~外的安全防護(hù)。在實(shí)際應(yīng)用中，NUF6401MNT1G常用于負(fù)載開關(guān)和電源管理模塊。例如，在智能手機(jī)和平板電腦等移動設(shè)備中，可用于控制背光顯示或音頻放大器的電源供給。在使用時需注意正確連接源極、漏極以及柵極引腳，并確保遵循制造商推薦的最大額定電壓與電流值以避免損壞元件。

NUF6401MNT1G 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
1
類別
濾波器
家庭
EMI/RFI（LC、RC 網(wǎng)絡(luò)）
系列
-
類型
低通
技術(shù)
RC（Pi）
通道數(shù)
6
中心 / 截止頻率
110MHz（截止值）
衰減值
30dB @ 800MHz ~ 3GHz
電阻 - 通道 (Ohms)
100
電流
-
值
R = 100 歐姆，C = 17pF
ESD 保護(hù)
是
濾波器階數(shù)
2nd
應(yīng)用
移動設(shè)備的數(shù)據(jù)線路
封裝/外殼
12-VFDFN 裸露焊盤
尺寸/尺寸
0.118" L X 0.053" W（3.00mm x 1.35mm）
高度
0.039"（1.00mm）
包裝
剪切帶 (CT)
工作溫度
-40°C ~ 85°C
其它名稱
NUF6401MNT1GOSCT

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NUF6001MUT2G
NUF6105
NUF6105FCT1G
NUF6106FCT
NUF6400MNTBG
NUF6406MNT1G
NUP4201MR6T1G

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