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NTZD5110NT1G

更新時間:2025-05-23 02:17:48

供應商
產(chǎn)品型號
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詢價

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NTZD5110NT1G外觀圖

NTZD5110NT1G

ON Semiconductor FET - 陣列

MOSFET N-CH DUAL 60V SOT563

封裝:SOT-563，SOT-666

NTZD5110NT1G 概述

NTZD5110NT1G是一款由安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)、電池管理以及便攜式設備中的電源管理應用。在電路設計中，NTZD5110NT1G通常被用于需要高速切換和低功耗的場合。其最大漏源電壓為30V，連續(xù)漏極電流可達4.4A（在25°C條件下），這些參數(shù)使其成為低壓功率轉(zhuǎn)換的理想選擇。使用時需注意柵極驅(qū)動電壓要足夠高以確保MOSFET完全導通，同時也要關(guān)注散熱設計以避免過熱損壞。對于負載開關(guān)應用，可以將其與輸入電容配合使用來平滑瞬態(tài)響應。

NTZD5110NT1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
4,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
294mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.6 歐姆 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
24.5pF @ 20V
功率 - 最大
250mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SOT-563，SOT-666
供應商設備封裝
SOT-563
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTZD5110NT1G-NDNTZD5110NT1GOSTR

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