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NTZD3152PT1H

更新時間:2025-05-25 09:26:51

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NTZD3152PT1H 概述

NTZD3152PT1H是一款由ON Semiconductor生產的雙N溝道MOSFET，采用SOT-363封裝。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，適用于電池供電設備中的負載切換和電源管理應用。其最大漏源電壓(VDS)為20V，連續(xù)漏極電流(ID)在室溫下可達2.7A，適合驅動LED、執(zhí)行電平轉換以及在便攜式電子設備中進行高效能量管理。由于其緊湊的封裝形式和優(yōu)異的電氣性能，NTZD3152PT1H廣泛應用于智能手機、平板電腦和其他便攜式消費電子產品中，以實現更小尺寸和更高效率的設計目標。在實際應用中應注意確保柵極驅動電壓足夠高以達到最佳導通狀態(tài)，并且要考慮散熱設計以維持長期穩(wěn)定工作。

NTZD3152PT1H 規(guī)格參數

現有數量
0現貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）
產品狀態(tài)
停產
技術
MOSFET（金屬氧化物）
配置
2 個 P 溝道（雙）
FET 功能
-
漏源電壓（Vdss）
20V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
430mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
900 毫歐 @ 430mA，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
2.5nC @ 4.5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
175pF @ 16V
功率 - 最大值
250mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
SOT-563，SOT-666
供應商器件封裝
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