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NTP6410ANG

更新時間:2025-05-16 08:19:05

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NTP6410ANG外觀圖

NTP6410ANG

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 100V 76A TO-220

封裝:TO-220-3

NTP6410ANG 概述

NTP6410ANG是安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款P溝道增強型MOSFET，采用TSOP-6封裝。該MOSFET具有低導通電阻特性，在4.5V柵極驅(qū)動下典型值為30mΩ，可有效降低導通損耗。其最大漏源電壓(VDS)為-20V，連續(xù)漏極電流(ID)在25°C時可達-4.2A。這款MOSFET適用于電池供電設(shè)備、負載開關(guān)以及電源管理等應用場合。在便攜式電子產(chǎn)品中，如智能手機和平板電腦，它能幫助實現(xiàn)高效的電源轉(zhuǎn)換和控制。設(shè)計電路時應注意合理選擇柵極驅(qū)動電壓以確保完全開啟MOSFET，并考慮散熱措施以避免過熱影響性能。在進行PCB布局時應盡量縮短源極到漏極的走線長度以減少寄生電感影響。

NTP6410ANG 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
76A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
13 毫歐 @ 76A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
120nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4500pF @ 25V
功率 - 最大
188W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件

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