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NTP45N06

更新時間:2025-07-03 15:57:54

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NTP45N06外觀圖

NTP45N06

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB

封裝:TO-220-3

NTP45N06 概述

NTP45N06是來自美國萬代（ON Semiconductor）的一款N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻特性，在柵極電壓為10V時典型值僅為0.037歐姆。其最大漏源電壓（VDSS）可達60V，連續(xù)漏極電流（ID）在25℃下最高為45A。這款MOSFET適用于多種應(yīng)用場合，如直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池管理電路以及電機驅(qū)動控制等需要高效功率轉(zhuǎn)換的領(lǐng)域。在電源管理系統(tǒng)中，NTP45N06能夠有效降低能量損耗，提高系統(tǒng)整體效率。當用于電機驅(qū)動時，快速的開關(guān)速度有助于減少開關(guān)損耗并提升驅(qū)動性能。設(shè)計電路時需注意散熱處理以確保器件工作在安全溫度范圍內(nèi)。

NTP45N06 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
45A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
26 毫歐 @ 22.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
46nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1725pF @ 25V
功率 - 最大
2.4W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
NTP45N06OS

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