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NTP2955G

更新時間:2025-08-25 05:33:52

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NTP2955G外觀圖

NTP2955G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CHAN 12A 60V TO220AB

封裝:TO-220-3

NTP2955G 概述

NTP2955G是由Nexperia公司生產(chǎn)的一款P溝道MOSFET。該器件采用表面貼裝的SOT-223封裝，適用于多種低功耗應用場合。其具有較低的導通電阻和柵極電荷，有助于減少開關(guān)損耗并提高效率。在實際應用中，NTP2955G常用于電源管理電路、負載開關(guān)以及電機驅(qū)動等場景。例如，在直流電機控制電路中，可用作高端開關(guān)元件來控制電機的啟停與轉(zhuǎn)向。使用時需注意柵極電壓要適當，以確保完全開啟或關(guān)閉MOSFET，避免處于線性工作區(qū)造成功耗過大。設計PCB時應盡量減小源極到柵極走線長度，減少寄生電感影響。

NTP2955G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
196 毫歐 @ 12A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
14nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
700pF @ 25V
功率 - 最大
2.4W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
NTP2955G-NDNTP2955GOS

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