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NTP18N06LG

更新時間:2025-06-14 21:50:31

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
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封裝/批號
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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NTP18N06LG外觀圖

NTP18N06LG

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB

封裝:TO-220-3

NTP18N06LG 概述

NTP18N06LG是來自美國安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。這款MOSFET常用于電源管理電路中，如DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池充電器以及電機(jī)驅(qū)動等場景。其最大漏源電壓(Vds)為60V，連續(xù)漏極電流(Id)可達(dá)18A，適合需要較高電流處理能力的場合。在實際應(yīng)用中，建議在柵極串聯(lián)一個小電阻來抑制振蕩，并且要注意散熱設(shè)計以確保器件可靠工作。對于電源轉(zhuǎn)換電路設(shè)計，應(yīng)合理選擇外圍元件參數(shù)，保證MOSFET在安全工作區(qū)內(nèi)運(yùn)行。此外，在高頻應(yīng)用時要特別關(guān)注寄生電容的影響，適當(dāng)優(yōu)化PCB布局以減少干擾。

NTP18N06LG 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
15A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
100 毫歐 @ 7.5A，5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
440pF @ 25V
功率 - 最大
48.4W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
NTP18N06LGOS

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