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NTMSD3P102R2SG

更新時間:2025-06-20 19:54:03

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ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

NTMSD3P102R2SG 規(guī)格參數

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
FETKY™
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
二極管（隔離式）
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.34A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
85 毫歐 @ 3.05A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
25nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
750pF @ 16V
功率 - 最大
730mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)

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