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NTMS7N03R2G

更新時間:2025-06-08 08:19:36

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廠商
封裝/批號
說明
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深圳市硅諾電子科技有限公司
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NTMS7N03R2G外觀圖

NTMS7N03R2G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

NTMS7N03R2G 概述

NTMS7N03R2G是由ON Semiconductor（安森美半導體）生產的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種功率管理應用。基礎描述方面，NTMS7N03R2G的最大漏源電壓為30V，連續(xù)漏極電流可達7A，柵極閾值電壓范圍在1V至2.5V之間，這使得它非常適合用于低壓電路設計。其小尺寸封裝不僅節(jié)省了PCB空間，還便于集成到緊湊型電子設備中。典型應用場景包括負載開關、電源管理模塊、直流-直流轉換器以及電池供電設備中的功率控制等。由于其出色的熱性能和電氣性能，在手持設備、消費類電子產品以及工業(yè)控制系統(tǒng)等領域廣泛應用。使用時應注意保持良好的散熱條件，并確保驅動電壓滿足要求以實現最佳的導通電阻和開關速度。

NTMS7N03R2G 規(guī)格參數

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
23 毫歐 @ 7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
43nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1190pF @ 25V
功率 - 最大
800mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTMS7N03R2GOSNTMS7N03R2GOS-NDNTMS7N03R2GOSTR

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NTMS10P02R2
NTMS10P02R2G
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NTMS3P03R2G
NTMS4107NR2G
NUP4201MR6T1G

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